配線基板

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-082178
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284298
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】配線基板のメタライズ配線層に電子部品の電極等を強固に半田付けできない。【解決手段】絶縁基体1上にメタライズ配線層2を有する配線基板において、メタライズ配線層2の表面にコバルトの含有量が1重量%以下のニッケルまたはニッケル-コバルト合金から成る第1の下地めっき金属層3aと、コバルトの含有量が2〜60重量%のニッケル-コバルト合金から成る第2の下地めっき金属層3bと、金を主成分とする表面めっき金属層4とを順次被着させた配線基板である。表面めっき金属層の耐食性および半田濡れ性が低下しなくなるとともに、半田付けの際に下地めっき金属層の半田中への拡散吸収が防止でき、メタライズ配線層に電子部品の電極等を強固に半田付けすることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁基体上にメタライズ配線層を有する配線基板において、前記メタライズ配線層の表面にコバルトの含有量が1重量%以下のニッケルまたはニッケル-コバルト合金から成る第1の下地めっき金属層と、コバルトの含有量が2〜60重量%のニッケル-コバルト合金から成る第2の下地めっき金属層と、金を主成分とする表面めっき金属層とを順次被着させたことを特徴とする配線基板。

IPC (3件)：

H05K 1/09 , H05K 3/24 , H05K 3/34 501

FI (3件)：

H05K 1/09 C , H05K 3/24 A , H05K 3/34 501 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭64-057628
特公昭60-013078
特開平3-252383

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