特許

J-GLOBAL ID：200903082130431943

半導体装置を化学機械的に研摩する方法

発明者： クリス・シー・ユウ ,  ジェフリー・エフ・ハンソン ,  ジェフリー・エル・クライン
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 池内 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-068643
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288244
出願日： 1995年03月02日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：

【要約】【目的】 中性のpHレベルのスラリーを使用でき、高速度の研摩が可能な化学機械的研摩(CMP)方法を実現する。【構成】 化学機械的研摩(CMP)プロセスを使用して半導体装置(10)に導電性プラグ(28)が形成される。例えばタングステンのブランケット導電層(26)がプラグ開口(24)に被着される。該導電層は硫酸銅(CuSO4)または過塩素酸銅[Cu(ClO4)2]のいずれかおよび、アルミナまたはシリカのような、研摩剤からなるスラリー、および水を使用してCMPにより研摩し戻される。他の実施例では、そのようなスラリーを使用するCMPプロセスは半導体装置(40)において導電性相互接続(50)を形成するために使用できる。

請求項（抜粋）：

硫酸銅を含むスラリーを使用して半導体装置を研摩する段階を具備することを特徴とする半導体装置を化学機械的に研摩する方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 13/04 ,  C23F 1/00