特許

J-GLOBAL ID：200903082137534861

レーザパルス発生装置

発明者： 景山 恭行 ,  東 博純
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 萼 経夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-038816
公開番号（公開出願番号）：特開2000-244036
出願日： 1999年02月17日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 従来のパルスレーザ発生装置に比べて試料表面を短時間で且つ確実に必要温度に加熱することができるパルスレーザ発生装置を提供する。【解決手段】 非晶質シリコン薄膜をパルスレーザアニールにより多結晶シリコン薄膜とするためのパルスレーザ発生装置であって、(1)レーザ発振器から発射されたパルスレーザビームを形状を保持したまま強度のみを分割する手段、(2)分割された前記ビームの一方に光路長を追加する手段、(3)分割された前記ビームの他方を、更に時間差を有する複数のパルスからなるパルス列に分割する手段、 (4)前記両ビームの強度を独立して制御可能な強度減衰手段、並びに(5)前記両ビームの断面形状及び断面内強度分布を整形する手段、を有するパルスレーザ発生装置。

請求項（抜粋）：

非晶質薄膜をレーザパルスアニールにより多結晶薄膜とするためのレーザパルス発生装置であって、(1)レーザ発振器から発射されたレーザパルスビームを形状を保持したまま強度のみを分割する手段、(2)分割された前記ビームの一方に光路長を追加する手段、(3)分割された前記ビームの他方を、更に時間差を有する複数のパルスからなるパルス列に分割する手段、(4)前記両ビームの強度を独立して制御可能な強度減衰手段、並びに(5)前記両ビームの断面形状及び断面内強度分布を整形する手段、を有することを特徴とするレーザパルス発生装置。

IPC (3件)：

H01S 3/00 ,  G02B 26/00 ,  H01L 21/268

FI (3件)：

H01S 3/00 B ,  G02B 26/00 ,  H01L 21/268 F

Fターム (13件)：

2H041AA02 ,  2H041AA06 ,  5F072AA06 ,  5F072JJ02 ,  5F072JJ05 ,  5F072KK05 ,  5F072KK15 ,  5F072KK30 ,  5F072MM01 ,  5F072MM08 ,  5F072RR05 ,  5F072SS06 ,  5F072YY08