特許

J-GLOBAL ID：200903082139813482

マイクロマシンデバイスおよび角加速度センサおよび加速度センサ

発明者： 岡内 亨 ,  山下 光洋
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-168542
公開番号（公開出願番号）：特開2001-349732
出願日： 2000年06月06日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：

【要約】【課題】 SOI型角速度センサ及び加速度センサの回路基板上への高密度表面実装実現。【解決手段】 SOI基板の支持層側に接続穴を設け、バンプや異方性導電膜を用いて、裏面から活性層の端子部と回路基板上のランドを接続することにより、ワイヤーボンディングに要するスペースを不要とする。上記の対策により、センサの回路基板への高密度表面実装を実現し、機器の小型化に寄与せしめる。

請求項（抜粋）：

金属薄膜パターンを有する絶縁体基板と、SiO2絶縁層の片側が導電性を示すSi活性層であり、他方がSi支持層より構成されるSOI基板よりなり、前記活性層に構造体が形成され、前記絶縁体基板の一部と前記活性層の一部が接合された接合面を有するマイクロマシンデバイスにおいて、活性層側の前記接合面に形成され、活性層の他の部分と絶縁された島状部と、前記金属パターンのうちガラス側接合面上に形成された部分とが接合状態で電気的に接続され、前記支持層側より前記島状部、または前記構造体と接続されている活性層部分の裏面に空けられた接続穴を通して、前記島状部または前記活性層部分と外部が電気的に接続されていることを特徴とするマイクロマシンデバイス。

IPC (5件)：

G01C 19/56 ,  B81B 3/00 ,  G01P 9/04 ,  G01P 15/125 ,  H01L 29/84

FI (5件)：

G01C 19/56 ,  B81B 3/00 ,  G01P 9/04 ,  G01P 15/125 ,  H01L 29/84 Z

Fターム (18件)：

2F105AA02 ,  2F105AA08 ,  2F105AA10 ,  2F105BB13 ,  2F105CC04 ,  2F105CD03 ,  2F105CD05 ,  2F105CD13 ,  4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA24 ,  4M112CA26 ,  4M112CA31 ,  4M112CA33 ,  4M112DA03 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA13