特許
J-GLOBAL ID:200903082140107630

プローブの絶縁固定用部品

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高畑 靖世
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-308156
公開番号(公開出願番号):特開2001-127122
出願日: 1999年10月29日
公開日(公表日): 2001年05月11日
要約:
【要約】【課題】 低熱膨張性でシリコンウェハーとの熱膨張差が小さく、高温時の強度に優れ、加工性に優れているプローブカード用絶縁固定用部品を提供する。【解決手段】 半導体チップを形成したシリコンウェハー12のチップテストに用いるプローブカード100に組込まれたプローブ6の絶縁固定用部品2を、ムライトセラミックスで製造する。ムライトセラミックスのAl2O3含有量は70〜73重量%、SiO2含有量は27〜30重量%であり、両者の合計重量が98重量%以上、嵩密度が3.0g/cm3以上で、熱膨張係数が3.0〜4.5×10-61/°Cである。
請求項(抜粋):
半導体チップを形成したシリコンウェハーのチップテストに用いるプローブカードに組込まれたプローブの絶縁固定用部品であって、ムライトセラミックスからなることを特徴とするプローブの絶縁固定用部品。
IPC (4件):
H01L 21/66 ,  G01R 1/06 ,  G01R 1/073 ,  G01R 31/26
FI (4件):
H01L 21/66 B ,  G01R 1/06 D ,  G01R 1/073 E ,  G01R 31/26 J
Fターム (13件):
2G003AA10 ,  2G003AG04 ,  2G011AA17 ,  2G011AB06 ,  2G011AB07 ,  2G011AE03 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA01 ,  4M106DD04 ,  4M106DD30 ,  4M106DJ32 ,  4M106DJ33
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • プローブカード及びその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-315027   出願人:松下電器産業株式会社
  • 特開昭62-011558
  • 特開昭61-286264
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