特許
J-GLOBAL ID:200903082140107630
プローブの絶縁固定用部品
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高畑 靖世
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-308156
公開番号(公開出願番号):特開2001-127122
出願日: 1999年10月29日
公開日(公表日): 2001年05月11日
要約:
【要約】【課題】 低熱膨張性でシリコンウェハーとの熱膨張差が小さく、高温時の強度に優れ、加工性に優れているプローブカード用絶縁固定用部品を提供する。【解決手段】 半導体チップを形成したシリコンウェハー12のチップテストに用いるプローブカード100に組込まれたプローブ6の絶縁固定用部品2を、ムライトセラミックスで製造する。ムライトセラミックスのAl2O3含有量は70〜73重量%、SiO2含有量は27〜30重量%であり、両者の合計重量が98重量%以上、嵩密度が3.0g/cm3以上で、熱膨張係数が3.0〜4.5×10-61/°Cである。
請求項(抜粋):
半導体チップを形成したシリコンウェハーのチップテストに用いるプローブカードに組込まれたプローブの絶縁固定用部品であって、ムライトセラミックスからなることを特徴とするプローブの絶縁固定用部品。
IPC (4件):
H01L 21/66
, G01R 1/06
, G01R 1/073
, G01R 31/26
FI (4件):
H01L 21/66 B
, G01R 1/06 D
, G01R 1/073 E
, G01R 31/26 J
Fターム (13件):
2G003AA10
, 2G003AG04
, 2G011AA17
, 2G011AB06
, 2G011AB07
, 2G011AE03
, 4M106AA01
, 4M106AA02
, 4M106BA01
, 4M106DD04
, 4M106DD30
, 4M106DJ32
, 4M106DJ33
引用特許:
前のページに戻る