特許

J-GLOBAL ID：200903082142894434

ブリッジ回路における磁気抵抗性薄膜センサ素子の磁化装置

発明者： フアン デン ベルク、フーゴ ,  シエルター、ウオルフガング
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-536109
公開番号（公開出願番号）：特表平11-505932
出願日： 1996年05月31日
公開日（公表日）： 1999年05月25日
要約：

【要約】装置(7)により、ブリッジ(B)に結線されているセンサ素子(E1ないしE4)のバイアス層部の磁化が設定される。これらの素子は共通の基板(2)の上に配置されており、また高e磁気抵抗効果を示す。本装置は、ブリッジ回路(B)のセンサ素子(E1ないしE4)に関する導体路部(L1ないしL4)の所定の位置においてそれぞれ導体路部が少なくとも1つのセンサ素子(E1ないしE4)に対応するような配置を有する導体路部(L1ないしL4)を有していなければならない。各導体路部(L1ないしL4)を経て、それぞれ少なくとも1つの対応するセンサ素子のバイアス層部で磁化の所定のオリエンテーション方向が固定的に設定可能であるように、所定の方向および強さの設定電流(Ie1ないしIe4)を導くための手段を含んでいる。

請求項（抜粋）：

ブリッジに結線されそれぞれ同一の薄膜構造を有して共通の基板上に配置され、高い磁気抵抗効果を示すセンサ素子におけるバイアス層部の磁化を設定するための装置において、-センサ素子(Ej)から空間的に隔てられている多数の導体路部(Lj)であって、ブリッジ回路(B)のセンサ素子(Ej)に関する導体路部(Lj)の所定の位置においてそれぞれ導体路部(Lj)が少なくとも1つのセンサ素子(Ej)に対応するような配置を有する導体路部(Lj)を有し、また-各導体路部(Lj)を経て、それぞれ少なくとも1つの対応するセンサ素子(Ej)のバイアス層部(3)において磁化(mfj)の所定のオリエンテーション方向が固定的に設定可能であるように、所定の方向および強さの設定電流(Ie,Iej)を導くための手段を含んでいることを特徴とする磁化設定装置。

IPC (2件)：

G01R 33/09 ,  H01L 43/08

FI (2件)：

G01R 33/06 R ,  H01L 43/08 B