特許
J-GLOBAL ID：200903082147199289
超伝導電子デバイスの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-036428
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246665
出願日： 2001年02月14日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 コンパクトな集積回路を構成することができる超伝導電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 基板1上に劈開されたBSCCO単結晶2を固定する工程と、第1のフォトレジスト3を用いた第1のイオンミリング4により特定の深さにまでBSCCO単結晶をエッチングする工程と、第2のフォトレジスト5を用いた第2のイオンミリング6を行い、固有ジョセフソン接合装置を形成する工程と、固有ジョセフソン接合装置を劈開し、裏返したBSCCO単結晶片7を得る工程と、新たな基板8上にBSCCO単結晶片7を固定し、第3のフォトレジスト9を用いた第3のイオンミリング10でBSCCO単結晶装置をパターニングする工程と、下部電極11及び上部電極12を形成して、超伝導電子デバイスを得る工程とを施す。
請求項（抜粋）：
(a)基板上に劈開されたBSCCO単結晶を固定する工程と、(b)第1のフォトレジストを前記BSCCO単結晶表面上にフォトリソグラフィ技術を用いて形成する工程と、(c)第1のイオンミリングにより特定の深さにまで前記BSCCO単結晶をエッチングする工程と、(d)第2のフォトレジストを前記BSCCO単結晶表面上にフォトリソグラフィ技術を用いて形成する工程と、(e)前記第2のフォトレジストを用いて第2のイオンミリングを行い、固有ジョセフソン接合装置を形成する工程と、(f)前記第2のフォトレジストを除去し、前記固有ジョセフソン接合装置を劈開し、裏返したBSCCO単結晶片を得る工程と、(g)新たな基板上に前記BSCCO単結晶片を固定し、フォトリソグラフィ技術を用いて形成する工程と、(h)第3のフォトレジストを前記BSCCO単結晶片上に形成する工程と、(i)前記第3のフォトレジストを用いたフォトリソグラフィと第3のイオンミリングでBSCCO単結晶装置をパターニングする工程と、(j)前記第3のフォトレジストを剥離してから、下部電極及び上部電極を形成して、超伝導電子デバイスを得る工程とを施すことを特徴とする超伝導電子デバイスの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 39/24 ZAA
, H01L 39/22 ZAA
H01L 39/24 ZAA J
, H01L 39/22 ZAA A
4M113AA01
, 4M113AA06
, 4M113AA16
, 4M113AA25
, 4M113AC44
, 4M113AD36
, 4M113BC04
, 4M113CA35
