特許

J-GLOBAL ID：200903082149341236

半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 赤池 康彦 ,  古川 和由
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-296823
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111052
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 基板から活性層へのpドーパントの拡散を防止することができ、非発光センターの形成を抑制してより一層の高輝度化及び安定化をはかる。【解決手段】 ウェーハ接着技術を利用した発光ダイオードにおいて、発光層となる活性層13をn型及びp型のクラッド層12,14で挟んだInGaAlP系材料からなるダブルへテロ構造部と、ダブルへテロ構造部のp型クラッド層14に直接接着されたp型GaP基板20と、p型クラッド層14とp型GaP基板20との間に形成されたInGaAlPからなるZn拡散防止層15とを備え、Zn拡散防止層15は、p型ドーパントのZnとn型ドーパントのSiが同時にドープされ、Zn,Siの不純物濃度をそれぞれNa,Ndとするとき、Na>Ndを満たし、かつNd>2×1017cm-3の条件を満たしている。

請求項（抜粋）：

発光層となる活性層をn型及びp型のクラッド層で挟んだIII-V族化合物半導体からなるダブルへテロ構造部と、前記発光層における発光光に対して透明な材料からなり、前記ダブルへテロ構造部のp型クラッド層側に直接接着された基板と、前記p型クラッド層と基板との間、又は前記p型クラッド層の一部に形成されたZn拡散防止層とを具備してなることを特徴とする半導体発光素子。

Fターム (9件)：

5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77