特許

J-GLOBAL ID：200903082150777617

半導体装置のキャパシタ製造方法

発明者： 朴 仁 成 ,  李 秉 澤
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-039241
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246477
出願日： 1997年02月24日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置のキャパシタ製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上11に下部電極15を形成する段階と、前記下部電極15を窒素及び酸素を含有するガスを用いてプラズマ処理する段階と、前記プラズマ処理された下部電極上に誘電体膜17を形成する段階と、前記誘電体膜上に上部電極19を形成する段階とを含む。これにより、比較的薄厚の等価酸化膜でも優れる電気的な特性を有するキャパシタ20を製造することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に下部電極を形成する段階と、前記下部電極を窒素及び酸素を含有するガスを用いてプラズマ処理する段階と、前記プラズマ処理された下部電極上に誘電体膜を形成する段階と、前記誘電体膜上に上部電極を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体装置のキャパシタ製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ・セル用誘電体皮膜およびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-143929   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-166091   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平1-207930