特許
J-GLOBAL ID:200903082151242954

疎水性沈降シリカの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-225135
公開番号(公開出願番号):特開2003-137532
出願日: 2002年08月01日
公開日(公表日): 2003年05月14日
要約:
【要約】【課題】 疎水性沈降シリカの製造方法を提供する。【解決手段】 a)オルガノポリシロキサン誘導体および沈降シリカからなる混合物を製造し、b)混合物のコンディショニングを10〜150°Cで0.5〜72時間実施し、かつc)酸化加熱処理を300°Cより高い温度で酸化ガスを用いて実施する。【効果】 シリコーンゴム配合物中で共有結合した炭素の高い負荷率、低い吸水率、低い増粘作用および良好な強化特性を有し、かつ高い白色度を有する沈降シリカが得られる。
請求項(抜粋):
疎水性沈降シリカの製造方法において、a)オルガノポリシロキサン誘導体および沈降シリカからなる混合物を製造し、b)混合物を10〜150°Cで0.5〜72時間コンディショニングし、かつc)300°Cより高い温度で酸化ガスを用いて液体条件下に酸化加熱処理を実施することを特徴とする、疎水性沈降シリカの製造方法。
IPC (3件):
C01B 33/18 ,  C08K 3/36 ,  C08L 83/04
FI (3件):
C01B 33/18 C ,  C08K 3/36 ,  C08L 83/04
Fターム (15件):
4G072AA38 ,  4G072AA41 ,  4G072CC14 ,  4G072GG02 ,  4G072GG03 ,  4G072HH21 ,  4G072HH29 ,  4G072QQ07 ,  4G072QQ09 ,  4G072TT04 ,  4G072TT06 ,  4G072UU08 ,  4J002CP031 ,  4J002DJ016 ,  4J002FD016

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