特許
J-GLOBAL ID：200903082151653946
半導体超微粒子を架橋する方法および半導体超微粒子架橋材料
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-268625
公開番号（公開出願番号）：特開平7-116503
出願日： 1993年10月27日
公開日（公表日）： 1995年05月09日
要約：
【要約】【構成】 複数の不飽和基を有する化合物とともに、すでに製造した、または製造中の半導体超微粒子に光を照射し、該半導体超微粒子に不飽和基を有する分子鎖を修飾した後、この修飾された半導体超微粒子同士を、加熱や放射線照射、架橋剤の添加等により架橋させ、半導体超微粒子架橋材料を製造する方法およびこのようにして製造された半導体超微粒子架橋材料。【効果】 本発明に従えば、光学材料や光電子材料、電子材料、磁気材料、医薬、農薬、触媒材料、無機材料、塗料・コーティング材料、化粧品材料などに利用可能な新規材料が提供される。
請求項（抜粋）：
複数の不飽和基を有する化合物とともに、半導体超微粒子に光を照射し、該半導体超微粒子に不飽和基を有する分子鎖を修飾した後、この不飽和基が修飾された半導体超微粒子同士を架橋させることを特徴とする、半導体超微粒子架橋材料を製造する方法。
IPC (3件)：
B01J 19/00
, H01L 51/10
, H01L 31/08
