半導体素子の電極構造およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木下實三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-349976
公開番号（公開出願番号）：特開平10-185725
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月14日
要約：

【要約】【課題】電極配線の金属が半導体素子のシリコンに拡散することがなく、かつ半導体素子のコンタクト部と電極配線との付着力を強固にすることのできる半導体素子の電極構造およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板33上に形成されたシリコン製の半導体素子41のコンタクト部42上に高融点金属窒化物からなるバリア層261と、電極配線151とが形成され、当該バリア層261はその厚さ方向位置に応じて高融点金属窒化物の組成比が異なっている。これにより、バリア層261と電極配線151との接合境界部におけるバリア層の部分261Aの組成比を電極配線151との付着が強固とするようにし、他の部分261Bでは電極配線151中の金属が拡散しないような組成比とすることが可能となる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたシリコンからなり当該基板の物理量を検出して電気信号に変換する半導体素子上に形成されるとともに、前記電気信号を外部に伝達する半導体素子の電極構造であって、前記半導体素子のコンタクト部上に形成された高融点金属窒化物からなるバリア層と、このバリア層の上に形成された電極配線とを有し、前記バリア層は、その厚さ方向位置に応じて前記高融点金属窒化物の組成比が異なっていることを特徴とする半導体素子の電極構造。

IPC (3件)：

G01L 9/04 101 , H01L 21/28 301 , H01L 29/84

FI (3件)：

G01L 9/04 101 , H01L 21/28 301 T , H01L 29/84 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-350973
特開平3-135018
特開昭62-259469

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