特許

J-GLOBAL ID：200903082152546477

フォトレジスト剥離剤及び半導体集積回路の製造方法

発明者： 岩田 恵一 ,  刈田 哲也 ,  青山 哲男
出願人/特許権者： 三菱瓦斯化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-091521
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283507
出願日： 1996年04月12日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】無機質基体上に塗布されたフォトレジスト膜、または無機質基体上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエッチング後に残存するフォトレジスト層、あるいはドライエッチング後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残渣物等を、低温でかつ短時間に容易に剥離でき、その際配線材料を全く腐食せずに超微細加工が可能であるフォトレジスト剥離剤を提供する。【解決手段】第四級アンモニウム水酸化物0.01〜20重量%、酸化還元電位を有する求核アミン化合物を 1〜80重量%、糖類または糖アルコール類を 0.5〜20重量%含み、残部が水であるフォトレジスト剥離剤、および無機質基体上に塗布されたフォトレジストを該フォトレジスト剥離剤を用いて剥離する半導体集積回路の製造方法。

請求項（抜粋）：

一般式〔(R1 )3 N-R 〕+ ・OH- (Rは炭素数 1〜4 のアルキル基またはヒドロキシ置換アルキル基、R1は炭素数 1〜3 のアルキル基)で表される第四級アンモニウム水酸化物0.01〜20重量%、酸化還元電位を有する求核アミン化合物を 1〜80重量%、糖類および/または糖アルコール類を 0.5〜20重量%含み、残部が水であることを特徴とするフォトレジスト剥離剤。

IPC (4件)：

H01L 21/308 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/308 E ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/302 H

引用特許：

審査官引用 (1件)

• レジスト用剥離液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-220410   出願人：関東化学株式会社