特許
J-GLOBAL ID：200903082154470214
電圧依存性非直線抵抗体およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-082236
公開番号（公開出願番号）：特開平7-272908
出願日： 1994年03月29日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】 同一のバリスタ電圧E10で、より大きな非直線係数αを示す電圧依存性非直線抵抗体およびその製造方法を提供する。【構成】 Sr、Ba、Ca、MgおよびPbの1種以上とTi、ZrおよびSnの1種以上とを含む複合ペロブスカイト型酸化物と、ドナー成分の1種以上と、Siとを含有し、任意の切片を透過型電子顕微鏡により観察したとき、粒界に、他とは輝度の異なる白色層を有し、任意の試料切片面の粒界の長さに占めるファセット粒界の長さが10%以下であり、還元焼成工程と再酸化処理工程との間で、1×10-15atm 以下の酸素分圧で還元処理を施して製造する。
請求項（抜粋）：
Sr、Ba、Ca、MgおよびPbの1種以上と、Ti、ZrおよびSnの1種以上とを含む複合ペロブスカイト型酸化物と、ドナー成分の1種以上と、Siとを含有し、任意の切片を透過型電子顕微鏡により観察したとき、粒界に、他とは輝度の異なる粒界層が確認され、かつ任意の試料切片面の粒界の長さに占めるファセット粒界の長さが10%以下である電圧依存性非直線抵抗体。
IPC (4件)：
H01C 7/10
, C04B 35/46
, C04B 35/49
, C04B 35/64
C04B 35/46 P
, C04B 35/46 E
, C04B 35/49 Z
, C04B 35/49 A
, C04B 35/64 A
