特許

J-GLOBAL ID：200903082157551177

パッシベーション層を有する半導体デバイス

発明者： ハリス,クリストファー アイ. ,  コンスタンチノフ,アンドレイ オー. ,  ヤンツェン,エリク
出願人/特許権者： エービービー リサーチ リミテッド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-520906
公開番号（公開出願番号）：特表平10-511812
出願日： 1995年12月29日
公開日（公表日）： 1998年11月10日
要約：

【要約】半導体デバイスは、少なくとも1つのSiC半導体層(1-3)と、前記SiC層の端面(19)の少なくとも一部分上に設けられてこの端面部分をパッシベーションするための層(6)とを含んでいる。少なくともSiC層の前記端面部分に最も近い前記パッシベーション層の部分は第1の結晶性材料でできており、そして前記パッシベーション層は第2の材料でできた部分を含み、第2の材料でできた前記部分はそれを構成する結晶性合金の主成分あるいは唯一の成分としてAlNを含んでいる。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つのSiC半導体層(1-3)と、前記SiC層の端面(19)の一部分の上にこの端面部分をパッシベーションするために設けられた層(6)とを含む半導体デバイスであって、 前記SiC層の前記端面部分に最も近い前記パッシベーション層の少なくとも部分(8、13、16)が第1の結晶性材料でできており、前記パッシベーション層が第2の材料でできた部分(8、14、16)を含み、前記第2の材料がそれを構成する結晶性合金の主成分あるいは唯一の成分として結晶性AlNを含んでいることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (6件)：

H01L 21/318 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/861

FI (5件)：

H01L 21/318 B ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/91 F ,  H01L 29/74 B ,  H01L 23/30 D