特許
J-GLOBAL ID：200903082162679122
スパッタリング成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 和憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-315068
公開番号（公開出願番号）：特開平10-158830
出願日： 1996年11月26日
公開日（公表日）： 1998年06月16日
要約：
【要約】【課題】 化学反応性スパッタリングの成膜効率を向上させる。【解決手段】 10-6Torrオーダーの高真空にした後、放電ガスとしてアルゴンガスを0.7×10-3〜6×10-3程度導入し、入力電力3kWにして通常の放電条件のもとでグロー放電を開始する。さらに反応ガスとして酸素ガスを導入すると、その導入量に応じて出力電圧が低下してゆく。アルゴンガス1に対して酸素ガスの導入量を0.8〜1.5程度まで増量し、全体の真空度が2×10-3程度になると出力電圧が500Vまで降下する。その後、酸素ガスの導入量を少しずつ減らしてゆくと、出力電圧が急激な増大傾向を示すとともに出力電力が非線形に降下して高速スパッタリング領域Sに移行する。この高速スパッタリング領域Sでは、きわめて高い効率のもとで成膜を行うことができる。
請求項（抜粋）：
真空槽内に放電ガスと反応ガスとを導入してターゲット材料と基板との間で放電を行い、この放電によりターゲット材料から飛散した原子を反応ガスと化合させて基板に被着するスパッタリング成膜方法において、放電ガスと反応ガスとの導入圧力比を1:Xとしたとき、0.8≦X≦1.5の条件下の放電により成膜を行うことを特徴とするスパッタリング成膜方法。
引用特許：
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