特許
J-GLOBAL ID：200903082165904240

半導体装置の製造方法

発明者：
山田 豊

山田 豊 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-273013
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115986
出願日： 1995年10月20日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【課題】 大チップをUVテープから剥離する際に,UVテープの接着力を低減して,チップにクラックの発生及び突き上げピンの破損を防止する。【解決手段】 1)表面に紫外線硬化型接着剤を塗布したテープに半導体ウェーハを接着し,該ウェーハを個々のチップに分割し,該テープの裏面より紫外線と熱線を照射し,前記熱線照射により,前記テープの表面温度を90°C以上に保つ,2)前記テープがポリオレフィン系樹脂からなり,その表面温度を90〜140 °Cに保つ。
請求項（抜粋）：
表面に紫外線硬化型接着剤を塗布したテープに半導体ウェーハを接着し,該ウェーハを個々のチップに分割し,該テープの裏面より紫外線と熱線を照射し,前記熱線照射により,前記テープの表面温度を90°C以上に保つことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/68 ,  H01L 21/301
FI (3件)：
H01L 21/68 E ,  H01L 21/78 Y ,  H01L 21/78 P
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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