特許
J-GLOBAL ID：200903082175943724
接続構造の形成方法及び該接続構造の形成方法を用いた電子材料の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-040122
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217935
出願日： 1992年01月30日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 セルフアラインで接続構造を形成でき、しかも不要個所に材料残りが生じることを防いで配線ショート等の発生を防止できる接続構造の形成方法を提供し、また、このような接続構造を有する電子材料の製造方法を提供すること。【構成】 複数の凸部2(ゲート)を有する基体1(基板)の該凸部間(ゲート間)に接続を形成する接続構造の形成方法であって、必要に応じてSiN等のエッチング保護膜8を形成し、平坦化絶縁膜9を形成し、その後基体の被接続部を被接続部11において露出し、導電材料7を形成して接続構造を形成することを特徴とする接続構造の形成方法、及びこの接続構造を形成した電子材料の製造方法。
請求項（抜粋）：
複数の凸部を有する基体の該凸部間に接続を形成する接続構造の形成方法であって、平坦化絶縁膜を形成し、その後基体の被接続部を露出し、導電材料を形成して接続構造を形成することを特徴とする接続構造の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28
, H01L 21/302
, H01L 21/90
