特許
J-GLOBAL ID：200903082176157552
熱電変換装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小塩 豊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-011640
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209509
出願日： 1997年01月24日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 耐熱性に優れ、有害揮発成分を含まないシリコン-ゲルマニウム熱電半導体の特長を活かすと共に熱膨張係数が小さいシリコン-ゲルマニウム熱電半導体の短所を克服して、接合工程の熱処理時や高温での使用時に接合不良を生じがたく、耐熱・耐久性に優れた熱電変換装置を提供する。【解決手段】 p型熱電半導体2pとn型熱電半導体2nとが接合用ろう材3a,3bおよび電極層4a,4bを介して電気的に接合された熱電変換装置1において、p型熱電半導体2pおよびn型熱電半導体2nの少なくとも接合端部の主成分がシリコン-ゲルマニウムであり、熱電半導体2p,2nの少なくとも接合端部の相対密度が70%以上94%以下であるものとした。
請求項（抜粋）：
p型熱電半導体とn型熱電半導体が電気的に接合された熱電変換装置において、p型熱電半導体およびn型熱電半導体の少なくとも接合端部の主成分がシリコン-ゲルマニウムであり、熱電半導体の少なくとも接合端部の相対密度が70%以上94%以下であることを特徴とする熱電変換装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 35/32 A
, H01L 35/14
