特許
J-GLOBAL ID：200903082179459274
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
布施 行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-298009
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167859
出願日： 1991年02月27日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：
【要約】【課題】 基板に何らかの加工を施すことなく、あるいはコンタクトホールの作製などの複雑な工程を含まない、信頼性・量産性の優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体発光素子は、窒化ガリウム系化合物半導体(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N;0≦x<1)からなる半導体層を含む半導体発光素子において、前記半導体層上に形成された電極と40と、前記電極40に連続し、この電極の材料の拡散によって形成された低抵抗領域38とを含む。
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系化合物半導体(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N;0≦x<1)からなる半導体層を含む半導体発光素子において、前記半導体層上に形成された電極と、前記電極に連続し、この電極の材料の拡散によって形成された低抵抗領域と、を含むことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
, H01S 3/18
