特許
J-GLOBAL ID:200903082185650156
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
平田 忠雄
, 角田 賢二
, 中村 恵子
, 遠藤 和光
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-131158
公開番号(公開出願番号):特開2009-283496
出願日: 2008年05月19日
公開日(公表日): 2009年12月03日
要約:
【課題】同一基板上に複数のトランジスタを備え、各トランジスタの動作特性を劣化させることなく、各々に適切な閾値電圧を設定することのできる半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、素子分離領域2により分離された第1および第2のトランジスタ領域10、20を有する半導体基板1と、第1および第2のトランジスタ領域10、20において、半導体基板上1に形成された不純物拡散抑制層12、22と、不純物拡散抑制層12、22上に形成されたエピタキシャル結晶層13、23と、を有し、不純物拡散抑制層22の厚さは、不純物拡散抑制層12の厚さよりも厚く、チャネル領域11に含まれる導電型不純物は、エピタキシャル結晶層13中の領域における濃度が、半導体基板1中の領域における濃度よりも低く、チャネル領域21に含まれる導電型不純物は、エピタキシャル結晶層23中の領域における濃度が、半導体基板1中の領域における濃度よりも低い。【選択図】図1
請求項(抜粋):
素子分離領域により分離された第1および第2のトランジスタ領域を有する半導体基板と、
前記第1のトランジスタ領域において、前記半導体基板上に形成された第1の不純物拡散抑制層と、
前記第2のトランジスタ領域において、前記半導体基板上に形成され、前記第1の不純物拡散抑制層よりも厚さの厚い第2の不純物拡散抑制層と、
前記第1の不純物拡散抑制層上に形成された第1の結晶層と、
前記第2の不純物拡散抑制層上に形成された第2の結晶層と、
前記第1の結晶層上に第1のゲート絶縁膜を介して形成された第1のゲート電極と、
前記第2の結晶層上に第2のゲート絶縁膜を介して形成された第2のゲート電極と、
前記第1のトランジスタ領域において、前記半導体基板、前記第1の不純物拡散抑制層および前記第1の結晶層中の前記第1のゲート電極下の領域に形成され、第1の導電型不純物を含む第1のチャネル領域と、
前記第2のトランジスタ領域において、前記半導体基板、前記第2の不純物拡散抑制層および前記第2の結晶層中の前記第2のゲート電極下の領域に形成され、第2の導電型不純物を含む第2のチャネル領域と、
前記第1のチャネル領域の両側に形成された第1のソース・ドレイン領域と、
前記第2のチャネル領域の両側に形成された第2のソース・ドレイン領域と、
を有し、
前記第1の導電型不純物は、前記第1のチャネル領域の前記第1の結晶層中の領域における濃度が、前記第1のチャネル領域の前記半導体基板中の領域における濃度よりも低く、
前記第2の導電型不純物は、前記第2のチャネル領域の前記第2の結晶層中の領域における濃度が、前記第2のチャネル領域の前記半導体基板中の領域における濃度よりも低い、
ことを特徴とする半導体装置。
IPC (7件):
H01L 21/823
, H01L 27/088
, H01L 29/423
, H01L 29/49
, H01L 21/28
, H01L 29/78
, H01L 21/265
FI (5件):
H01L27/08 102B
, H01L29/58 G
, H01L21/28 A
, H01L29/78 301H
, H01L21/265 Z
Fターム (115件):
4M104AA01
, 4M104BB01
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB06
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB17
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, 4M104HH10
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