特許

J-GLOBAL ID：200903082194890682

コンパクトデイスク対応またはコンパクトデイスク-ROM対応の追記型光デイスク

発明者： 宮崎 修次 ,  水野 信一郎
出願人/特許権者： 東洋インキ製造株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-305417
公開番号（公開出願番号）：特開平5-116456
出願日： 1991年10月24日
公開日（公表日）： 1993年05月14日
要約：

【要約】【目的】本発明は、安定性に優れ、さらに記録感度の良いCD対応またはCD-ROM対応の追記型光ディスクの記録膜材料およびディスク構成である。【構成】基板/記録膜/反射膜/保護膜の4層構造よりなるCD対応またはCD-ROM対応の追記型光ディスクにおいて、記録膜が特定の2種類のフタロシアニン系色素より選ばれる2種以上の化合物の混合膜で構成されることを特徴とする光ディスク。

請求項（抜粋）：

透明基板/記録膜/反射膜/保護膜の4層構造からなり、コンパクトディスクフォーマット信号またはコンパクトディスク-ROMフォーマット信号の記録を行う追記型光ディスクにおいて、その記録膜が下記一般式[1]で示されるフタロシアニン化合物と一般式[2]で示されるフタロシアニン化合物からそれぞれ選ばれる2種以上のフタロシアニン化合物より構成されることを特徴とするコンパクトディスク対応またはコンパクトディスク-ROM対応の追記型光ディスクCD対応の追記型光ディスク。一般式[1]【化1】[式中、置換基X1 〜X4 は、それぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシ基、置換基を有しても良いアルキルチオ基、ハロゲン原子、ニトロ基およびシアノ基を表す。k、l、mおよびnはそれぞれ独立に0〜2の整数であり、置換基X1 〜X4 の個数を表す。中心金属M1 は、Al、Ga、In、Si、Ge、Snを表す。置換基Z1 は、ここで、R1 、R2 、R3 およびR4 は、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基または置換基を有してもよいアリーロキシ基を表す。Y1 は、1または2の整数であり置換基Z1の個数を表す。]一般式[2]【化2】[式中、置換基X5 〜X8 は、それぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシ基、置換基を有しても良いアルキルチオ基、ハロゲン原子、ニトロ基およびシアノ基を表す。o、p、qおよびrはそれぞれ独立に0〜2の整数であり、置換基X5 〜X8 の個数を表す。中心金属M2 は、Al、Ga、In、Si、Ge、Snを表す。置換基Z2 は、を有しても良いアリール基あるいは置換基を有しても良いアラルキル基を表す。Y2 は、1または2の整数であり置換基Z2 の個数を表す。]

IPC (2件)：

B41M 5/26 ,  G11B 7/24 516