特許

J-GLOBAL ID：200903082195942295

半導体製造方法および面発光型半導体レーザの製造方法および面発光型半導体レーザ素子および光送信モジュールおよび光送受信モジュールおよび光通信システム

発明者： 上西 盛聖
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-173554
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022686
出願日： 2002年06月14日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】AlAs層の厚さが比較的薄い場合にも、反射率変化に基づく酸化狭窄の制御を良好に行なうことの可能な半導体製造方法を提供する。【解決手段】酸化炉内において、半導体多層膜構造に被酸化層を含む被測定物に光を照射し、酸化反応中の被測定物からの反射光を検出し、前記反射光の反射率、平均反射率、反射率の変化率、平均反射率の変化率を演算し、該演算結果に基づき酸化反応の進行を検出し、酸化反応の制御を行なう半導体製造方法であって、前記被測定物は、半導体基板上のモニターサンプルであり、かつ半導体多層膜構造の被酸化層よりも上部の少なくとも一部がエッチングにより除去されている。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

酸化炉内において、半導体多層膜構造に被酸化層を含む被測定物に光を照射し、酸化反応中の被測定物からの反射光を検出し、前記反射光の反射率、平均反射率、反射率の変化率、平均反射率の変化率を演算し、該演算結果に基づき酸化反応の進行を検出し、酸化反応の制御を行なう半導体製造方法であって、前記被測定物は、半導体基板上のモニターサンプルであり、かつ半導体多層膜構造の被酸化層よりも上部の少なくとも一部がエッチングにより除去されていることを特徴とする半導体製造方法。

IPC (3件)：

H01S5/183 ,  H01L21/66 ,  H01S5/323

FI (3件)：

H01S5/183 ,  H01L21/66 Y ,  H01S5/323

Fターム (21件)：

4M106AA01 ,  4M106AA13 ,  4M106AB10 ,  4M106BA04 ,  4M106CA48 ,  4M106DH03 ,  4M106DH12 ,  4M106DH56 ,  5F073AA53 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073AB28 ,  5F073BA02 ,  5F073CA17 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA27 ,  5F073DA35 ,  5F073HA02 ,  5F073HA10