特許

J-GLOBAL ID：200903082205587200

ポリイミド系半導体保護膜

発明者： 富川 真佐夫 ,  江口 益市 ,  平本 叔
出願人/特許権者： 東レ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-268695
公開番号（公開出願番号）：特開平8-113645
出願日： 1987年02月12日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【課題】ヤング率が低く、強伸度特性の優れたポリイミド系半導体保護膜を得る。【解決手段】ジアミン成分として4,4’-ジアミノジフェニルスルフィドと4,4’-ジアミノジフェニルエーテルを60/40〜95/5のモル比で含有し、酸成分としてピロメリット酸二無水物を含有し、ヤング率が200kgf/cm2 以下であることを特徴とするポリイミド系半導体保護膜。

請求項（抜粋）：

ジアミン成分として4,4’-ジアミノジフェニルスルフィドと4,4’-ジアミノジフェニルエーテルを60/40〜95/5のモル比で含有し、酸成分としてピロメリット酸二無水物を含有し、ヤング率が200kgf/cm2 以下であることを特徴とするポリイミド系半導体保護膜。

IPC (3件)：

C08G 73/10 NTF ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-199238
  
• ポリイミド共重合体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-050508   出願人：東レ株式会社