薄膜トランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-124479
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307115
出願日： 1996年05月20日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】オフ特性向上のために半導体膜の薄膜化を行っても、プロセスの安定性を確保するとともに、ソース抵抗及びドレイン抵抗の増大を防止して高駆動能力を維持することができる薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】絶縁性基板1の表面を洗浄した後、ソース電極10領域及びドレイン電極11領域の下層に位置する部分に導電膜2を形成し、チャネル領域の下層に位置する部分に遮光膜3を形成する。次に、導電膜2及び遮光膜3上に絶縁膜4を堆積させ、絶縁膜4のソース電極10領域及びドレイン電極11領域の下層に位置する部分を開口し、半導体膜5となる非晶質シリコン膜を堆積させる。次に、非晶質シリコン膜を多結晶シリコン膜に変化させ、ゲート絶縁膜6及びゲート電極7を形成する。そして、半導体膜5に不純物イオンを導入して活性化させた後、層間絶縁膜8を堆積させる。次に、コンタクトホール9を形成し、ソース電極10及びドレイン電極11を形成して薄膜トランジスタを得る。

請求項（抜粋）：

ソース電極領域及びドレイン電極領域の下層に、島状にパターン形成された導電膜を有し、前記導電膜は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と半導体膜とに、電気的に接続されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

FI (3件)：

H01L 29/78 616 S , H01L 29/78 616 V , H01L 29/78 619 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-069942
特開平3-095937
特開平4-206732

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