特許

J-GLOBAL ID：200903082208735219

基板へのヒ素イオンのドーピング方法

発明者： 古 峰維 ,  顧 家麟
出願人/特許権者： 茂徳科技股▲ふん▼有限公司 ,  台湾茂▲せき▼電子股▲ふん▼有限公司 ,  シーメンス アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-264244
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102310
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 低い温度でヒ素イオンを含む薄膜を形成し、熱履歴を減少させることで、不必要なヒ素イオンの拡散を防止し、かつイオン注入工程を省略可能とする。【解決手段】 シングルウェハー反応室中にウェハーを提供するステップと、シングルウェハー反応室中に反応物としてのTEOS、ヒ素イオンを含む前駆物質としてのTEAS(またはTEASAT)およびキャリアガスを供給するステップと、シングルウェハー反応室中に反応促進剤としてO3を流入するステップと、シングルウェハー反応室を約400〜500°Cに加熱して、準常圧雰囲気でTEOSおよびTEAS(またはTEASAT)ならびにO3を反応させ、ウェハー上にヒ素イオンを含む二酸化シリコン薄膜を形成するステップとから構成される。

請求項（抜粋）：

反応室中にウェハーを提供するステップと、前記反応室中に反応物およびヒ素イオンを含む前駆物質を流入させるステップと、前記反応室中に反応促進剤を流入させるステップと、前記反応室を所定温度に加熱するステップと、前記ウェハー上にヒ素イオンを含む薄膜を形成するステップとを具備することを特徴とするヒ素イオンを含む薄膜の堆積方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/225

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/225 D

Fターム (10件)：

5F045AA04 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AC09 ,  5F045AC19 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045HA16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特公平7-085472
  
• シリコン半導体基板中への砒素ドーピング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-355262   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 特公昭56-019107