特許

J-GLOBAL ID：200903082218049933

ソリッドステートリレー

発明者： 小川 憲治
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-318765
公開番号（公開出願番号）：特開平5-227000
出願日： 1991年12月03日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】リレーの波形制御部3を高価な誘電体分離基板を用いることなく、通常の半導体基板用いて実現することにある。【構成】出力部4を構成するMOSFET9のゲート部にダイオード8a,8bおよび抵抗R1,R2からなる波形制御部3を接続し、この制御部3にフォトダイオードアレー6を含む放電制御部2を接続する。この波形制御部3を放電回路部2とは独立して設けることにより、波形制御部3を安価に半導体基板に形成することを可能にする。

請求項（抜粋）：

入力端子に接続される発光素子と、前記発光素子から光を受けて光電圧を発生するフォトダイオードアレーと、出力端子に接続され且つ前記フォトダイオードアレーから発生した光電圧により動作するMOSFETと、前記MOSFETのゲートに一方の端子を接続した抵抗および前記抵抗の他方の端子にカソードを接続したダイオードを含む波形制御部とを有することを特徴とするソリッドステートリレー。

IPC (2件)：

H03K 17/78 ,  H01L 31/12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-238918
  
• 特開昭61-245617
  
• 特開昭64-082708