特許

J-GLOBAL ID：200903082227269512

化合物半導体ウエハの研磨方法および化合物半導体ウエハの研磨装置

発明者： 大槻 誠 ,  西浦 隆幸
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-090236
公開番号（公開出願番号）：特開2003-289058
出願日： 2002年03月28日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】ウエハ面を研磨する際にテンプレートと吸着パッドの間に残渣が残らないようなウエハ研磨方法と研磨治具を提供すること。【解決手段】 研磨プレート4の裏面に吸着パッド6を貼り付け、ウエハの横滑りを防ぐため吸着パッド6に環状のテンプレート7を内周部に非接合部を設けて貼り付ける。ウエハを外した後、ブラシ回転揺動と洗浄液噴射によってパッドとテンプレートを清掃する。ブラシ40によってテンプレートと吸着パッドの間の残渣を除去することができる。研磨毎に清掃するのが望ましいが、ウエハ2〜3枚研磨ごとに清掃するようにしてもよい。

請求項（抜粋）：

平坦な下面を有する研磨プレートと、研磨プレートの上に続くヘッド軸と、ウエハを吸着するため研磨プレートの下面に付着した吸着パッドと、ウエハの横ズレを防ぐため吸着パッドに内周部の一部を非接合部とし残りの部分を接着あるいは熱圧着したテンプレートとを含む研磨ヘッドのテンプレートによって囲まれる吸着パッド面にInPウエハあるいはGaAsウエハを吸着させて、研磨ヘッドを研磨定盤に押し付け、研磨定盤に研磨液を供給しながら、研磨定盤と研磨ヘッドを回転させることによって、ウエハを研磨し、研磨ヘッドを引き上げウエハの研磨した表面を洗浄し、吸着パッドからウエハを取り除くことによってウエハを研磨し、ウエハ研磨後1枚毎に或いは2枚〜3枚毎に、研磨ヘッドのパッドとテンプレートを洗浄液を噴射しながら回転或いは揺動するブラシによって清掃して、次回のウエハの研磨を行うようにした事を特徴とする化合物半導体ウエハの研磨方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/04 ,  B24B 55/06

FI (7件)：

H01L 21/304 622 M ,  H01L 21/304 621 B ,  H01L 21/304 622 H ,  H01L 21/304 622 Q ,  B24B 37/04 H ,  B24B 37/04 Z ,  B24B 55/06

Fターム (8件)：

3C047FF08 ,  3C047HH00 ,  3C058AA07 ,  3C058AB04 ,  3C058AB06 ,  3C058AC05 ,  3C058CB03 ,  3C058DA17