タンデム型シリコン系薄膜光電変換装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-099943
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294481
出願日： 1997年04月17日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】低温プロセスのみを用いることによって安価な基板が使用可能な低コストの光電変換装置において、装置の製造歩留り、信頼性および安定性を改善し、かつ高性能化を図ることのできる技術を提供し、シリコン系薄膜光電変換装置の実用化に貢献する。【解決手段】基板(101)上で複数段に積層された複数の光電変換ユニット(112,113)を含むタンデム型シリコン系薄膜光電変換装置は、それらの光電変換ユニットのいずれもがプラズマCVD法によって順次積層された1導電型層(103,106)と、結晶質を含むシリコン系薄膜の光電変換層(104,107)と、逆導電型半導体層(105,108)とを含むことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

基板上で複数段に積層された複数の光電変換ユニットを含むタンデム型シリコン系薄膜光電変換装置であって、前記光電変換ユニットのいずれもが、プラズマCVD法によって順次積層された1導電型半導体層と、結晶質を含むシリコン系薄膜の光電変換層と、逆導電型半導体層とを含むことを特徴とするタンデム型シリコン系薄膜光電変換装置。

FI (2件)：

H01L 31/04 Y , H01L 31/04 W

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭60-111478
特開昭57-187973
特開平3-219622

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