半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-137227
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321062
出願日： 1996年05月30日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】化合物半導体を用いたリセス構造FETの製造歩留りの向上。【解決手段】レジスト膜パターン8を用いてリセス部10を形成し、Al膜11などのゲート金属膜を形成し、剥離液を用いてレジスト膜パターン8を除去し、酸素プラズマ処理を行なう。ゲート電極9で選択的に被覆されたリセス底面のn型Alx Ga1-x As電子供給層3表面の酸化膜を脱イオン水などにより水洗して除去する。ゲート電極を浸食することなく酸化膜を除去できる。

請求項（抜粋）：

リフトオフ法により、ヒ素を含む化合物半導体層に接触するショットキーゲート電極を形成する際に、前記リフトオフ法用のレジスト膜を除去した後に前記化合物半導体層表面の酸化膜を水洗処理で除去し、ついで表面保護膜を被着する電界効果トランジスタ形成工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/306 , H01L 29/41

FI (3件)：

H01L 29/80 F , H01L 21/306 N , H01L 29/44 C

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