特許

J-GLOBAL ID：200903082237482397

微細構造体の形成方法

発明者： 沼澤 稔之
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-102958
公開番号（公開出願番号）：特開平7-312332
出願日： 1994年05月17日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：

【要約】【目的】 高アスペクト比を有する微細構造体を、高精度に、容易かつ簡単に形成することのできる微細構造体の形成方法を提供する。【構成】 基板1上にレジスト層2を形成する工程と、レジスト層2にシンクロトロン放射光(SR光)を照射して、レジスト層2に所望のパターン2pを露光する露光工程と、所望のパターン2pが露光されたレジスト層2を現像して、レジストパターン3を形成する現像工程と、レジストパターン3に基づいて、微細構造体4を形成する、微細構造体4の形成方法において、露光工程は、レジスト層2と実質的に同一の吸収スペクトルを有するフィルター50を介して、レジスト層2を露光することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層にシンクロトロン放射光を照射して、前記レジスト層に所望のパターンを露光する露光工程と、前記所望のパターンが露光されたレジスト層を現像して、レジストパターンを形成する現像工程と、前記レジストパターンに基づいて、微細構造体を形成する、微細構造体の形成方法において、前記露光工程は、前記レジスト層と実質的に同一の吸収スペクトルを有するフィルターを介して、レジスト層を露光することを特徴とする、微細構造体の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 503 ,  G03F 7/20 521