特許

J-GLOBAL ID：200903082243130966

半導体装置のコンタクトホール形成方法

発明者： 澤田 敬二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-159787
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330283
出願日： 1995年06月02日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 コンタクトホールのエッチングにより形成されるポリマーを確実に除去可能な後処理工程を含むコンタクトホール形成方法を提供する。【構成】 ウエハ上に形成された金属配線層上に層間絶縁膜を形成する工程(S1)と、上記層間絶縁膜上にレジストパターンを形成する工程(S2)と、上記レジストパターンを介して上記層間絶縁膜をエッチングしてコンタクトホールを穿孔する工程(S3)と、酸素プラズマにより上記レジストの下層部を残してレジストをエッチング処理する工程(S4)と、アミン系有機溶剤によりウエハ上に残ったレジスト下層部およびコンタクトホール内面を後処理する工程(S5)とを有するコンタクトホール形成方法。

請求項（抜粋）：

(a)ウエハ上に形成された金属配線層上に層間絶縁膜を形成する工程と、(b)上記層間絶縁膜上にレジストパターンを形成する工程と、(c)上記レジストパターンを介して上記層間絶縁膜をエッチングしてコンタクトホールを穿孔する工程と、(d)酸素プラズマにより上記レジストの下層部を残してレジストをエッチング処理する工程と、(e)アミン系有機溶剤によりウエハ上に残ったレジスト下層部およびコンタクトホール内面を後処理する工程と、を有することを特徴とする半導体装置のコンタクトホール形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/302 M ,  H01L 21/306 F ,  H01L 21/90 A