特許
J-GLOBAL ID:200903082247232879
リフトオフイメージングプロフィルを得る方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
江崎 光史 (外2名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-531775
公開番号(公開出願番号):特表平11-504446
出願日: 1997年02月18日
公開日(公表日): 1999年04月20日
要約:
【要約】以下の段階:a) プラズマで腐蝕可能な材料からなり、この際この材料が約0.5μm(マイクロメーター)よりも薄い膜厚を有する第一層を作り、b) 上記第一層の上表面にフォトイメージ可能な材料からなる第二層を作り、c) 上記第二層を選択的に露光しそして現像する段階によって、この第二層にパターンを形成し、d) 第二層を有機ケイ素材料と反応させ;そしてe) 酸素雰囲気中で第一層を等方性的に腐蝕する、ことを含むリフトオフイメージングプロフィルを得る方法。
請求項(抜粋):
以下の段階:a) プラズマで腐蝕可能な材料からなり、この際この材料が約0.5μm(マイクロメーター)よりも薄い膜厚を有する第一層を作り、b) 上記第一層の上表面にフォトイメージ化可能な材料からなる第二層を作り、c) 上記第二層を選択的に露光しそして現像する段階によって、この第二層にパターンを形成し、d) 第二層を有機ケイ素材料と反応させ;そしてe) 酸素雰囲気中で第一層を等方性的に腐蝕する、ことを含むリフトオフイメージングプロフィルを得る方法。
IPC (4件):
G03F 7/26 513
, G03F 7/022
, G03F 7/039 601
, G03F 7/38 512
FI (4件):
G03F 7/26 513
, G03F 7/022
, G03F 7/039 601
, G03F 7/38 512
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