特許
J-GLOBAL ID：200903082249013007
パターン形成方法および処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-044936
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260407
出願日： 1993年03月05日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：
【要約】【目的】 パターンプロファイルの良好なレジストパターン形成方法を提供する。【構成】 半導体基板1上にフォトレジスト2を塗布した後、半導体基板1を30°C〜150°Cの範囲で加温しながらアルカリ処理を行い、露光、現像を行う。又は半導体基板1上にフォトレジスト2を塗布した後、半導体基板1に真空処理を施してからアルカリ処理、露光、現像を行う。【効果】 フォトレジスト表面に難溶化層を厚く形成でき、露光、現像後のレジストパターンの膜減りを防止できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にフォトレジストを塗布した後、アルカリ処理を行いフォトレジスト表面に難溶化層を形成し、露光、現像を行うレジストパターン形成方法において、上記アルカリ処理時に上記半導体基板を30°C〜150°Cの範囲で加温することを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/38 501
H01L 21/30 361 F
, H01L 21/30 361 S
