特許
J-GLOBAL ID：200903082249479464
非晶質半導体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-236413
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074707
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】生産性に優れ、光劣化しにくく、光電特性が良好な非晶質半導体薄膜の製造方法を提供する。【作用】基板4上に非晶質半導体薄膜を成膜する成膜工程と、非晶質半導体薄膜表面にド-パントをド-プして所定導電型のデルタド-プ層を形成すると同時に非晶質半導体薄膜表面を原子状水素に曝して化学アニ-ルするド-プ/化学アニ-ル工程とを交互に実施する。これにより光電特性の向上、光劣化の軽減、プロセス時間の短縮といった効果を奏し得る。
請求項（抜粋）：
基板上に非晶質半導体薄膜を成膜する成膜工程と、前記非晶質半導体薄膜表面にド-パントをド-プして所定導電型のデルタド-プ層を形成すると同時に前記非晶質半導体薄膜表面を原子状水素に曝して前記非晶質半導体薄膜を化学アニ-ルするド-プ/化学アニ-ル工程とを交互に実施することを特徴とする非晶質半導体薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 31/04
