パターン形成方法および半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-122862
公開番号（公開出願番号）：特開2003-316019
出願日： 2002年04月24日
公開日（公表日）： 2003年11月06日
要約：

【要約】【課題】形成されるパターンの形状に拘らず、所望のパターンを高い精度で効率よく形成できるパターン形成方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上に塗布型カーボン膜2を回転塗布してベークした後、カーボン膜2上にポジ型ArFレジスト膜4を回転塗布してプリベークする。レジスト膜4をArFエキシマレーザ光線5を用いて露光した後、現像してレジスト膜4をパターニングする。レジスト膜4にEBキュア処理を施した後、レジスト膜4を覆うように、感光性ポリシラザン膜7をカーボン膜2上に設け、レジスト膜4のパターン段差を略完全に無くすように埋め込む。ポリシラザン膜7をArFエキシマレーザ光線8を用いて全面露光した後、加湿処理を施し、現像してレジスト膜4の上面を露出させ、ポリシラザン膜7をパターニングする。ポリシラザン膜7をマスクとして、レジスト膜4およびカーボン膜2を加工する。

請求項（抜粋）：

基板上に被加工膜を設ける工程と、前記被加工膜上にレジスト膜を設ける工程と、前記レジスト膜をパターニングする工程と、前記パターニングされたレジスト膜を覆うように放射線感受性化合物の膜を前記被加工膜上に設ける工程と、前記放射線感受性化合物の膜に放射線照射および現像処理を施して前記レジスト膜の上面を露出させ、前記放射線感受性化合物の膜をパターニングする工程と、前記パターニングされた放射線感受性化合物の膜をマスクとして前記レジスト膜を除去するとともに、前記被加工膜を加工する工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/26 511 , G03F 7/075 511 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/26 511 , G03F 7/075 511 , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 502 P

Fターム (28件)：

2H025AB16 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025BF30 , 2H025DA13 , 2H025FA03 , 2H025FA17 , 2H025FA29 , 2H025FA30 , 2H025FA41 , 2H096AA25 , 2H096BA01 , 2H096BA09 , 2H096CA05 , 2H096EA02 , 2H096EA04 , 2H096EA06 , 2H096GA08 , 2H096HA03 , 2H096HA23 , 2H096KA02 , 2H096KA03 , 2H096KA05 , 2H096KA06 , 2H096KA11 , 2H096KA19

引用特許：

出願人引用 (10件)

特開昭63-316849
レジスト材料およびパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-331746 出願人：富士通株式会社
レジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-027765 出願人：株式会社東芝

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