特許

J-GLOBAL ID：200903082256740003

有機薄膜トランジスタ用の溶液プロセスにより作製される無機膜

発明者： ナムダス, エビナザー, ベンジャミン ,  キャヤディ, トミー ,  マハイサルカー, ジー., スボドー ,  リー, プーイ シー ,  チェン, ジークアン ,  ラム, ヤン ミン ,  ソン, リンシン
出願人/特許権者： ナンヤン テクノロジカル ユニヴァーシティー ,  エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ
代理人 (3件)： 山田 行一 ,  野田 雅一 ,  池田 成人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-511985
公開番号（公開出願番号）：特表2009-538526
出願日： 2007年05月22日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：

薄膜トランジスタにおいて使用するためのゾル-ゲル膜組成物を製造する方法が開示される。この方法は、60°Cから225°Cの範囲内における温度での溶液プロセスによってゾル-ゲル誘電体組成物を製造するステップを含む。また、この方法により作製されるゾル-ゲル膜と、このゾル-ゲル膜を組み込む有機薄膜トランジスタとが開示される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

60°Cから225°Cの範囲内における温度での溶液プロセスによってゾル-ゲル誘電体組成物を製造するステップを含む、薄膜トランジスタにおいて使用するためのゾル-ゲル膜組成物を製造する方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30

FI (7件)：

H01L21/316 G ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 280

Fターム (38件)：

5F058AA07 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH04 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 有機/無機金属ハイブリッド物質及びこれを含む有機絶縁体組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-236237   出願人：三星電子株式会社