LC素子,半導体装置及びLC素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：布施行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-353810
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202134
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】製造が簡単であり、後工程における部品の組み付け作業を省略することができ、ICやLSIの一部として形成することが可能であり、特性を任意に変更することができるLC素子,半導体装置及びLC素子の製造方法を提供すること。【構成】 LC素子100は、p-Si基板30の表面に直接形成された蛇行形状の第2の電極26と絶縁層28を挟んで形成された蛇行形状の第1の電極10とを含んでおり、第1の電極10に接続された制御用電極24に所定のゲート電圧が印加されると、第1の電極10に沿ってチャネル22が形成される。これらチャネル22と第2の電極26とがそれぞれインダクタとして機能し、しかもこれらの間には分布定数的にキャパシタが形成される。したがって、チャネル22を信号の入出力路として用いることにより良好な減衰特性が得られる。

請求項（抜粋）：

n領域あるいはp領域のいずれか一方の単一層が表面側に形成された半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、ゲートとして機能する非スパイラル形状の第1の電極と、前記第1の電極に対して、ほぼ同一平面内であってほぼ平行に隣接して形成された非スパイラル形状の第2の電極と、前記第1および第2の電極の少なくとも一方と、前記半導体基板との間に形成された絶縁層と、前記半導体基板内にあって、前記第1の電極に対応して形成されるチャネルの両端付近に形成されるソースおよびドレインと、を備え、前記第1の電極に対応して形成されるチャネルと前記第2の電極のそれぞれによって形成されるインダクタと、これらの間に形成されるキャパシタとが分布定数的に存在し、少なくとも前記第1の電極に対応して形成されるチャネルを信号入出力路として用いることを特徴とするLC素子。

IPC (7件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01F 17/00 , H01P 1/00 , H01P 1/203 , H03H 7/01 , H01G 4/40

FI (2件)：

H01L 27/04 L , H01G 4/40 321 A

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