特許

J-GLOBAL ID：200903082264463418

プラズマ処理装置

発明者： 彦坂 幸信
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-206315
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055299
出願日： 1995年08月11日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】本発明は、アンテナから放射された高周波電力によりプラズマを生成し、そのプラズマを用いてエッチング又は成膜を行うプラズマ処理装置に関し、プラズマ生成時にプラズマ生成室の仕切壁に反応ガスによる反応生成物が堆積するのを抑制し、さらにプラズマ生成室の仕切壁のエッチングを抑制して仕切壁の耐久性を向上させる。【解決手段】仕切壁が絶縁物により形成されたプラズマ生成室11と、プラズマ生成室11の外側に配置された高周波電力を放出するアンテナ16と、プラズマ生成室11の仕切壁12を加熱する加熱手段と、アンテナ16からの高周波電力によりプラズマ生成室11内に生成されたプラズマにより被処理体27をエッチングし、或いは基板上に成膜する、プラズマ生成室11に接続された反応室19とを有する。

請求項（抜粋）：

仕切壁が絶縁物により形成されたプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室の外側に配置された高周波電力を放出するアンテナと、前記プラズマ生成室の仕切壁を加熱する加熱手段と、前記アンテナからの高周波電力により前記プラズマ生成室内に生成されたプラズマにより被処理体をエッチングし、或いは基板上に成膜する、前記プラズマ生成室に接続された反応室とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

FI (5件)：

H05H 1/46 L ,  H05H 1/46 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/302 B