特許

J-GLOBAL ID：200903082267319504

半導体装置

発明者： 梶原 護 ,  中村 嗣雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-157294
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148526
出願日： 1995年06月23日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】 耐湿性が高く、低コストで、しかも量産性の高いBGA型の半導体装置を提供すること。【構成】 中央にデバイスホール2aが開口された可撓性樹脂基板2、可撓性樹脂基板の第1主面上に設けられ一端が前記デバイスホール内に突出してインナーリード3aになされ一部にランド3bが形成されている配線リード3とを有するテープキャリアと、電極端子1aが前記インナーリードに接続された半導体チップ1、少なくとも半導体チップの電極端子1a形成面を封止するとともに可撓性樹脂基板の第2主面上の均一の厚さに被覆する封止樹脂4と、ランド3b上に形成された導電性バンプ5と、を備え、ランド3bがデバイスホール2a開口部を除いて可撓性樹脂基板2上にグリッドアレイ状に配置されている。

請求項（抜粋）：

中央にデバイスホールが開口された可撓性樹脂基板と、該可撓性樹脂基板の第1主面上に設けられ且つ一端が前記デバイスホール内に突出してインナーリードになされ一部にランドが形成されている配線リードとを有するテープキャリアと、電極端子が前記インナーリードに接続された半導体チップと、少なくとも前記半導体チップの電極端子形成面を封止するとともに前記可撓性樹脂基板の第2主面上を均一の厚さに被覆する封止樹脂と、前記ランド上に形成された導電性バンプと、を備え、前記ランドが前記デバイスホール開口部を除いて前記可撓性樹脂基板上にグリッドアレイ状に配置されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/02 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/50

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭64-081330
  
• 特開昭63-152160