特許

J-GLOBAL ID：200903082270727494

高分子電解質およびその製造方法

発明者： 江戸 崇司 ,  今井 隆之 ,  宮田 裕之 ,  渡辺 正義
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-040103
公開番号（公開出願番号）：特開2001-229968
出願日： 2000年02月17日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】 高いカチオン輸率とイオン導電率を有し、かつリチウム電池等に使用したときに液漏れ、デンドライトの発生の問題を起こす可能性の少ない高分子電解質およびその製造方法を提供する。【解決手段】 ホウ酸のアルカリ金属塩の添加によりホウ素架橋されたポリビニルアルコールからなる多孔質体に、有機溶媒を含浸させてなり、ホウ酸のアルカリ金属塩の添加量がポリビニルアルコール100重量部に対して0.05〜25重量部である高分子電解質、および、ポリビニルアルコール溶液に、ホウ酸のアルカリ金属塩をポリビニルアルコール100重量部に対して0.05〜25重量部添加してゾル化し、ついで、このゾル状物をフリーズドライ法によって乾燥して多孔質体とした後、この多孔質体に有機溶媒を含浸させる高分子電解質の製造方法。

請求項（抜粋）：

ホウ酸のアルカリ金属塩の添加によりホウ素架橋されたポリビニルアルコールからなる多孔質体に、有機溶媒を含浸させてなり、ホウ酸のアルカリ金属塩の添加量がポリビニルアルコール100重量部に対して0.05〜25重量部であることを特徴とする高分子電解質。

IPC (6件)：

H01M 10/40 ,  C08J 9/28 CEX ,  C08K 3/38 ,  H01B 1/06 ,  H01B 13/00 ,  C08L 29/04

FI (6件)：

H01M 10/40 B ,  C08J 9/28 CEX ,  C08K 3/38 ,  H01B 1/06 A ,  H01B 13/00 Z ,  C08L 29/04 A