特許
J-GLOBAL ID：200903082272988139
磁気抵抗効果素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-061225
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104506
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】大きな磁気抵抗変化率が得られる磁気抵抗効果素子を提供すること、及び、低い飽和磁場を有し、小さな磁場変化で大きな磁気抵抗変化率を得ることができる磁気抵抗効果素子を提供することにある。【構成】磁性層1と、強磁性元素と非強磁性元素との混合層2と、非磁性層3とが磁気抵抗効果を発揮するように順次積層された積層体を具備する磁気抵抗効果素子を作製する。この素子において、混合層2の原子層数をnとし、その中の磁性層に一番近い原子層の強磁性元素の原子濃度をX1 %、非磁性層に一番近いn番目の原子層の強磁性元素の原子濃度をXn %とした場合に、2×(X1 /Xn)/nが1.1 より大きい。
請求項（抜粋）：
磁性層と、強磁性元素と非強磁性元素との混合層と、非磁性層とが磁気抵抗効果を発揮するように順次積層された積層体を具備する磁気抵抗効果素子であって、前記混合層の原子層数をnとし、その中の磁性層に一番近い原子層の強磁性元素の原子濃度をX1 %、非磁性層に一番近いn番目の原子層の強磁性元素の原子濃度をXn %とした場合に、2×(X1 /Xn )/nが1.1 より大きいことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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