特許
J-GLOBAL ID:200903082273333799

薄膜EL素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大川 宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-344758
公開番号(公開出願番号):特開平5-182766
出願日: 1991年12月26日
公開日(公表日): 1993年07月23日
要約:
【要約】【目的】 高誘電体の薄膜を絶縁層として使用することに、高い絶縁性を示し表示の耐久性の向上と安定性を有する薄膜EL素子とすること。【構成】 相対向する一対の電極と、該電極間に設けられた一対の絶縁層と、該絶縁層に挟まれた発光層とから構成される薄膜EL素子において、該絶縁層の少なくとも一方は、酸化イットリウム(Y2 O3 )または酸化タングステン(WO3 )を含む酸化タンタル(Ta2 O5 )で構成されていることを特徴とする薄膜EL素子。
請求項(抜粋):
相対向する一対の電極と、該電極間に設けられた一対の絶縁層と、該絶縁層に挟まれた発光層とから構成される薄膜EL素子において、該絶縁層の少なくとも一方は、酸化イットリウム(Y2 O3 )または酸化タングステン(WO3 )を含む酸化タンタル(Ta2 O5 )により構成されていることを特徴とする薄膜EL素子。
IPC (2件):
H05B 33/22 ,  G09F 9/30 365
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特公昭60-040160
  • 特開平2-245743
  • 特開昭61-269895

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