特許
J-GLOBAL ID：200903082273675223
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-122064
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326392
出願日： 1992年05月14日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】半導体装置の製造方法に関し、更に詳しく言えば、レジスト膜のパターンを精度良く形成し、レジストパターンの倒れを防止するための現像工程,洗浄工程及び乾燥工程の改善を目的とする。【構成】半導体基板上に形成された感光性膜を現像する工程又は前記感光性膜の現像後に前記半導体基板を洗浄する工程において、少なくとも、表面張力が純水よりも小さい現像液を用いて前記感光性膜を現像する工程と、表面張力の小さい洗浄液を用いて前記半導体基板を洗浄する工程との何れかを含み構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された感光性膜を現像する工程又は前記感光性膜の現像後に前記半導体基板を洗浄する工程において、少なくとも、表面張力が純水よりも小さい現像液を用いて前記感光性膜を現像する工程か、表面張力が純水より小さい洗浄液を用いて前記半導体基板を洗浄する工程かの何れかを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, H01L 21/304 361
