特許

J-GLOBAL ID：200903082273951034

アクティブマトリクス型液晶表示パネル

発明者： 小野塚 豊
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-225624
公開番号（公開出願番号）：特開平9-068727
出願日： 1995年09月01日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：

【要約】【課題】 少ない工程数で形成可能な特性の良いアクティブマトリクス型液晶表示パネルを提供する。【解決手段】 ITO層16、金属層10を同時にパターニングし、信号線電極と画素電極を形成する。信号線金属層10上部は酸化層11がエッチングされて金属層10が露出しているのでITO層16と金属層10はコンタクトするが、ITO層16と遮光層2は酸化膜層15で遮断されているのでコンタクトせず、画素電極・信号線電極間のリーク電流を抑えることができる。

請求項（抜粋）：

画素として働く第1の電極及びこの電極に電圧を印加する薄膜トランジスタが形成され、この薄膜トランジスタのゲートに接続されたゲート線と、ソース或いはドレインに接続された信号線が絶縁膜を介して形成され、前記第1の電極上を覆うように第1の配向層が形成された第1の基板と、第2の電極が形成され該第2の電極上を覆うように第2の配向層が形成され周囲に封着材が配設されて前記第1の基板に間隙を有して対向配置されて前記封着材で前記第1の基板に接着された第2の基板と、前記第1の基板および前記第2の基板の間隙に封入・挟持される液晶層とを備えたアクティブマトリクス型液晶表示パネルにおいて、前記第1の電極の周辺を覆う遮光層が、前記薄膜トランジスタのa-Si層の下面に接し、a-Si層と同一のパターンで形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示パネル。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G02B 5/00 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G02B 5/00 B ,  H01L 29/78 617 W ,  H01L 29/78 619 B