特許
J-GLOBAL ID：200903082277273294
モノリシック発光ダイオードアレイの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-241414
公開番号（公開出願番号）：特開平9-083015
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【課題】 モノリシック発光ダイオードアレイの製造において、各発光ダイオードのpn接合深さを精度良く制御すると共にpn接合深さのばらつきを小さくする。【解決手段】 n-GaAs基板10上にSiO2選択成長マスク12を形成する。マスク12は、発光領域を露出する窓14と発光領域周囲の素子分離領域を被覆する分離部16とボンディングパッド領域を被覆するパッド部18と電極引出し領域を被覆する引出し部20とを有する。次にMOVPE法により、n-InGaP クラッド層、ノンドープInGaAsP 活性層、p-InGaP クラッド層及びp-GaAsコンタクト層を順次に、露出させた基板10上に成長させる。マスク12の幅、結晶成長の温度及び圧力を適宜調整することにより、ダブルヘテロ構造の発光ダイオードを構成するこれら各半導体層を、マスク12上には成長させないように選択的に結晶成長させる。拡散処理ではなく選択的結晶成長により、各発光ダイオードを素子分離した状態で形成できるので、課題を解決できる。
請求項（抜粋）：
発光領域をマトリクス状に配列し、各発光領域にダブルヘテロ構造の発光ダイオードを形成して、モノリシック発光ダイオードアレイを製造するに当たり、第一導電型のGaAs基板上に誘電体膜を用いて、発光領域の基板表面部分は露出し素子分離領域の基板表面部分は被覆する選択成長マスクを形成する工程と、第一導電型のInGaP下側クラッド層、第一導電型、第二導電型もしくはノンドープのInGaAsP活性層、第二導電型のInGaP上側クラッド層、及び、第二導電型のGaAsコンタクト層を、前記選択成長マスク外に露出した基板表面部分に選択的に結晶成長させる工程とを含んで成ることを特徴とするモノリシック発光ダイオードアレイの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 A
, H01L 27/15 Z
