特許
J-GLOBAL ID：200903082281693397
磁気抵抗効果素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-125149
公開番号（公開出願番号）：特開平9-305933
出願日： 1996年05月20日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 高出力化や狭トラック化を図っても、安定した磁気抵抗特性が得られるMR素子を提供する。【解決手段】 平面略長方形のMR膜1と、該MR膜1の長手方向の両端部にそれぞれ接続される図示しない後端電極および先端電極とを備え、MR膜1の幅方向の両端側に、軟磁性材料膜6、8とこれよりMR膜1から後退して設けられた硬磁性材料膜7、9とが積層されてなる磁区安定化材2、3が配設されてなる。この磁区安定化材2、3により、MR膜1の幅方向に平行な成分を有するバイアス磁界を発生させ、MR膜1の磁化方向Df を制御する。
請求項（抜粋）：
平面略長方形の磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜の長手方向の一端部に接続される第1の電極と、該磁気抵抗効果膜の他端部に接続される第2の電極とを備えた磁気抵抗効果素子において、前記磁気抵抗効果膜の幅方向の両端側に、軟磁性材料膜とこれより前記磁気抵抗効果膜から後退して設けられた硬磁性材料膜とが積層されてなる磁区安定化材が配設され、この磁区安定化材により、前記磁気抵抗効果膜の幅方向に平行な成分を有するバイアス磁界を発生させるようになされていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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