特許

J-GLOBAL ID：200903082282119384

半導体装置及びその製造方法

発明者： 向井 幹雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-012284
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209428
出願日： 1997年01月27日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、コンタクト開口部の大きさ自体を大きくすることなく、コンタクト抵抗を低減して、素子の微細化を図りつつ素子特性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 拡散抵抗素子のり出し電極コンタクト部において、抵抗層としてのp+ 型不純物拡散層14と取り出し電極17との界面が凹凸形状をなしており、その凹部がV字形状をなし、凸部が逆V字形状をなしている。そしてp+ 型不純物拡散層14表面の(100)面に対して、V字形状の凹部側面は(111)面をなし、これら(100)面と(111)面とのなす角度θ1 は約55°となり、V字状溝の底部において交差する2つの(111)面のなす角度θ2 は約70 ゚となっている。従って、p+ 型不純物拡散層14と取り出し電極17との接触面積、即ち有効対向面積は、従来の平坦な界面の場合に比べて約74%増大する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に導電体層が形成されている半導体装置であって、前記半導体基板と前記導電体層との界面が、凹凸形状をなしていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/41 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (4件)：

H01L 29/44 C ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/306 P ,  H01L 29/72