特許
J-GLOBAL ID：200903082282396175
半導体デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-032404
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245386
出願日： 1994年03月02日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 裏面照射型CCDイメージセンサの製造プロセスを改良する。【構成】 半導体チップの表面側に光電変換部と電荷転送用の電極を含むCCD部を形成すると共に、このCCD部に接続された複数のボンディングパッドを形成する第1の工程と、半導体チップの表面側に、複数のボンディングパッドを短絡するメタル層を形成する第2の工程と、半導体チップの光電変換部に対応する領域を裏面から薄化する第3の工程と、半導体チップをパッケージにマウントし、パッケージの端子とボンディングパッドをボンディングする第4の工程とボンディングパッドとメタル層の短絡箇所を切断する第5の工程とを備える。ボンディングパッドがメタル層で短絡された後に、裏面プロセスと組み立てプロセスが実行されるので、静電気によりCCD部のゲート酸化膜が破壊されることがない。
請求項（抜粋）：
半導体チップの表面側に光電変換部と電荷転送用の電極を含むCCD部を形成すると共に、このCCD部に接続された複数のボンディングパッドを当該半導体チップの表面側に形成する第1の工程と、前記半導体チップの表面側に、前記複数のボンディングパッドを短絡するメタル層を形成する第2の工程と、前記半導体チップの周辺領域に囲まれた少なくとも前記光電変換部に対応する領域を裏面から薄化する第3の工程と、前記半導体チップをパッケージにマウントし、該パッケージの端子と前記ボンディングパッドとの間をボンディングする第4の工程と前記ボンディングパッドと前記メタル層の短絡箇所を切断して裏面照射型CCDイメージセンサとする第5の工程とを備えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/148
, H01L 21/66
, H01L 23/00
