特許

J-GLOBAL ID：200903082283310967

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： 中村 修二 ,  岩佐 成人
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-310804
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213656
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】 p型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体を低抵抗なp型とし、さらに膜厚によらず抵抗値がウエハー全体に均一であり、発光素子をダブルへテロ、シングルへテロ構造可能な構造とできる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。【構成】 気相成長法により、基板上に、少なくともn型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体層とを成長させた後、全体を400°C以上の温度でアニーリングすることにより得られた、少なくとも一つのp-n接合を有する。

請求項（抜粋）：

気相成長法により、基板上に、少なくともn型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体層とを成長させた後、全体を400°C以上の温度でアニーリングすることにより得られた、少なくとも一つのp-n接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324